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Herstellerteilenummer | SDR6603-1R5M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SDR6603-1R5M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SDR6603 |
SDR6603-1R5M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 1.5µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 2.8A |
Strom - Sättigung | 2.6A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 50 mOhm Max |
Q @ Freq | 19 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 115MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.115" (2.92mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR6603-1R5M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SDR6603-1R5M-FT |
SRN6028-220M
Bourns Inc.
SRN6028-3R0Y
Bourns Inc.
SRN6028-680M
Bourns Inc.
SRN6028-R90Y
Bourns Inc.
SRN6028-6R2M
Bourns Inc.
SRN6028-6R8M
Bourns Inc.
SRN6028-1R5Y
Bourns Inc.
SRN5040-470M
Bourns Inc.
SRN5040-4R7M
Bourns Inc.
SRN5040-100M
Bourns Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel