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Herstellerteilenummer | SDR6603-2R2M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SDR6603-2R2M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SDR6603 |
SDR6603-2R2M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 2.4A |
Strom - Sättigung | 2.3A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 70 mOhm Max |
Q @ Freq | 18 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 90MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.115" (2.92mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR6603-2R2M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SDR6603-2R2M-FT |
SRN6028-3R0Y
Bourns Inc.
SRN6028-680M
Bourns Inc.
SRN6028-R90Y
Bourns Inc.
SRN6028-6R2M
Bourns Inc.
SRN6028-6R8M
Bourns Inc.
SRN6028-1R5Y
Bourns Inc.
SRN5040-470M
Bourns Inc.
SRN5040-4R7M
Bourns Inc.
SRN5040-100M
Bourns Inc.
SRN5040-330M
Bourns Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel