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Herstellerteilenummer | SDR6603-8R2M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SDR6603-8R2M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SDR6603 |
SDR6603-8R2M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 8.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.3A |
Strom - Sättigung | 1.15A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 160 mOhm Max |
Q @ Freq | 10 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 40MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.115" (2.92mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SDR6603-8R2M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SDR6603-8R2M-FT |
SRN5040-1R5Y
Bourns Inc.
SRN5040-6R8M
Bourns Inc.
SRN5040-8R2M
Bourns Inc.
SRN4026-1R0Y
Bourns Inc.
SRN4026-221M
Bourns Inc.
SRN4026-330M
Bourns Inc.
SRN4026-100M
Bourns Inc.
SRN4026-4R7M
Bourns Inc.
SRN4026-101M
Bourns Inc.
SRN4026-150M
Bourns Inc.
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel