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Herstellerteilenummer | SE5230DR2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SE5230DR2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SE5230DR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Last Time Buy |
Verstärkertyp | General Purpose |
Anzahl der Stromkreise | 1 |
Ausgabetyp | Rail-to-Rail |
Anstiegsrate | 0.25V/µs |
Bandbreitenprodukt gewinnen | 600kHz |
-3db Bandbreite | - |
Strom - Eingangsvorspannung | 40nA |
Spannung - Eingangsoffset | 400µV |
Strom - Versorgung | 1.1mA |
Strom - Ausgang / Kanal | 32mA |
Spannung - Versorgung, Single / Dual (±) | 1.8V ~ 15V, ±0.9V ~ 7.5V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SE5230DR2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SE5230DR2G-FT |
NCV33272ADR2G
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NE5534ADR2G
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LCMXO2280E-5TN100C
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XC6SLX100T-3FGG484I
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APA600-PQ208A
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C2N
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10M40SAE144I7G
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5SGXEA7H2F35I2
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EP4SE530H35I3
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XC3064A-7PC84C
Xilinx Inc.
XC6VHX565T-1FFG1924C
Xilinx Inc.
EPF8452ALI84-4
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