Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / SET100219
Herstellerteilenummer | SET100219 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SET100219 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SET100219 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | - |
Diodentyp | - |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 30A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.2V @ 54A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 6µA @ 1000V |
Betriebstemperatur - Übergang | -50°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | Module |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SET100219 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SET100219-FT |
SCNA05F
Semtech Corporation
SCNA05FF
Semtech Corporation
SCNA1
Semtech Corporation
SCNA10FF
Semtech Corporation
SCNA1F
Semtech Corporation
SCNA4
Semtech Corporation
SCNA6
Semtech Corporation
SCNAR10
Semtech Corporation
SCNAS15FF
Semtech Corporation
SCNAS6
Semtech Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel