Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / SFF1002GHC0G
Herstellerteilenummer | SFF1002GHC0G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SFF1002GHC0G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
SFF1002GHC0G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Supplier Device Package | ITO-220AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFF1002GHC0G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SFF1002GHC0G-FT |
SS34HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS35HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36/7T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS36HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3H10HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel