Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / SG2013J-883B
Herstellerteilenummer | SG2013J-883B |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SG2013J-883B |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SG2013J-883B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 7 NPN Darlington |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 600mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 1.9V @ 600µA, 500mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 900 @ 500mA, 2V |
Leistung max | - |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | 16-CDIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SG2013J-883B Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SG2013J-883B-FT |
STA303A
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STA301A
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SLA6023
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XC6SLX75T-N3CSG484I
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XC6SLX25-2FGG484C
Xilinx Inc.
5SGXMA5K2F40C3N
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5SGSMD4E1H29C2L
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EP3C5E144C7
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A3PE1500-FGG676
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LFE3-150EA-8LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EQC240-1
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