Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays / SH8J31GZETB
Herstellerteilenummer | SH8J31GZETB |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SH8J31GZETB |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
SH8J31GZETB Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Funktion | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 10V |
Leistung max | 2W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SOP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SH8J31GZETB Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SH8J31GZETB-FT |
IRF7755GTRPBF
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