Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / SHN2D02FUTW1T1G
Herstellerteilenummer | SHN2D02FUTW1T1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SHN2D02FUTW1T1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
SHN2D02FUTW1T1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 3 Independent |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100mA (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 3ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500nA @ 80V |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-88 (SOT-363) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SHN2D02FUTW1T1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SHN2D02FUTW1T1G-FT |
SBT100-10G
ON Semiconductor
NTSJ40100CTG
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NSR0115CQP6T5G
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BAW56M3T5G
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DAN222M3T5G
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BAS16DXV6T1G
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EP20K160ETC144-1X
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XC6SLX45-L1FGG484C
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AGLN250V5-ZCSG81I
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EPF10K100EFC484-1N
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EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel