Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI1315DL-T1-GE3
Herstellerteilenummer | SI1315DL-T1-GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SI1315DL-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI1315DL-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 8V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 900mA (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 336 mOhm @ 800mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 112pF @ 4V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 300mW (Ta), 400mW (Tc) |
Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Paket / fall | SC-70, SOT-323 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1315DL-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI1315DL-T1-GE3-FT |
SISA01DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISA66DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS429DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS822DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7102DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7111EDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS415DNT-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS444DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS447DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS472ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel