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Vishay Siliconix SI1912EDH-T1-E3

Name: SI1912EDH-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1912EDH-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 4.9 (180 reviews)

MFG-Teilenummer: SI1912EDH-T1-E3

verfügbare Anzahl: 44220 Stücke

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SI1912EDH-T1-E3.pdf

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SI1912EDH-T1-E3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SI1912EDH-T1-E3
Zukünftige Teilenummer	FT-SI1912EDH-T1-E3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SI1912EDH-T1-E3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1.13A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 1.13A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	450mV @ 100µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Leistung max	570mW
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package	SC-70-6 (SOT-363)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI1912EDH-T1-E3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SI1912EDH-T1-E3-FT

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