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Herstellerteilenummer | SI1922EDH-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI1922EDH-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI1922EDH-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 198 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 1.25W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-70-6 (SOT-363) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1922EDH-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI1922EDH-T1-GE3-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
LFE2-70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-1VQ100T
Microsemi Corporation
10M16DCF256C7G
Intel
5SGXMA7K1F40C2N
Intel
5SGSED6K2F40I2LN
Intel
EP4CE10E22A7N
Intel
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation