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Vishay Siliconix SI1922EDH-T1-GE3

MFG-Teilenummer
SI1922EDH-T1-GE3
verfügbare Anzahl
58780 Stücke
Referenzpreis
USD 0.12996
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
TrenchFET® MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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SI1922EDH-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SI1922EDH-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer FT-SI1922EDH-T1-GE3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie TrenchFET®
SI1922EDH-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 198 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 1.25W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package SC-70-6 (SOT-363)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI1922EDH-T1-GE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SI1922EDH-T1-GE3-FT

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