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Herstellerteilenummer | SI1926DL-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI1926DL-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI1926DL-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 370mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 340mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 18.5pF @ 30V |
Leistung max | 510mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SC-70-6 (SOT-363) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1926DL-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI1926DL-T1-GE3-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
LFE5U-12F-8BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C10F256C7
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5SGXEA7K2F40I3L
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5SGXMA4K1F35I2N
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5CGTFD9A5U19A7N
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EP2S130F1508I5
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