Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI2305DS-T1-E3
Herstellerteilenummer | SI2305DS-T1-E3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SI2305DS-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI2305DS-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 8V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1245pF @ 4V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.25W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2305DS-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI2305DS-T1-E3-FT |
BSS126 E6327
Infineon Technologies
BSS126 E6906
Infineon Technologies
BSS126H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS126H6906XTSA1
Infineon Technologies
BSS126L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS126L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSS127 E6327
Infineon Technologies
BSS127H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS127L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS131E6327
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel