Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI2309CDS-T1-E3
Herstellerteilenummer | SI2309CDS-T1-E3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SI2309CDS-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI2309CDS-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 345 mOhm @ 1.25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 210pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI2309CDS-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI2309CDS-T1-E3-FT |
BSS215PH6327XTSA1
Infineon Technologies
SI2301-TP
Micro Commercial Co
SI2328DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2337DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SN7002NH6327XTSA2
Infineon Technologies
SQ2351ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ2361ES-T1_GE3
Vishay Siliconix
BSS806NH6327XTSA1
Infineon Technologies
SI2307BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2307CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation