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Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-GE3

Name: SI2312BDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2312BDS-T1-GE3
Price: 0.141224 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (353 reviews)

MFG-Teilenummer: SI2312BDS-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 13290 Stücke

Referenzpreis: USD 0.141224

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SI2312BDS-T1-GE3.pdf

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SI2312BDS-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SI2312BDS-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SI2312BDS-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SI2312BDS-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	750mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Paket / fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2312BDS-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SI2312BDS-T1-GE3-FT

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