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Vishay Siliconix SI2333DS-T1-E3

MFG-Teilenummer
SI2333DS-T1-E3
verfügbare Anzahl
68080 Stücke
Referenzpreis
USD 0.233504
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
TrenchFET® MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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SI2333DS-T1-E3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SI2333DS-T1-E3
Zukünftige Teilenummer FT-SI2333DS-T1-E3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie TrenchFET®
SI2333DS-T1-E3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 4.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 6V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Paket / fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2333DS-T1-E3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SI2333DS-T1-E3-FT

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