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Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-GE3
- MFG-Teilenummer
- SI3460BDV-T1-GE3
- verfügbare Anzahl
- 31470 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.31188
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Vishay Siliconix
- Kurze Beschreibung
- TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SI3460BDV-T1-GE3.pdf
SI3460BDV-T1-GE3 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SI3460BDV-T1-GE3 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SI3460BDV-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | TrenchFET® |
| SI3460BDV-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta), 3.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SI3460BDV-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SI3460BDV-T1-GE3-FT |
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