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Herstellerteilenummer | SI3460DV-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI3460DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI3460DV-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 5.1A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.1W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3460DV-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI3460DV-T1-E3-FT |
SI5499DC-T1-E3
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SI5499DC-T1-GE3
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Microsemi Corporation
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5SGXEA7N1F45I2N
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Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
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