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Herstellerteilenummer | SI3473DDV-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI3473DDV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® Gen III |
SI3473DDV-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.8 mOhm @ 8.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1975pF @ 6V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.6W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3473DDV-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI3473DDV-T1-GE3-FT |
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Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
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