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Herstellerteilenummer | SI3499DV-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI3499DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI3499DV-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 8V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 5.3A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.1W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3499DV-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI3499DV-T1-E3-FT |
SI3442BDV-T1-E3
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SI3443BDV-T1-E3
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
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LFXP6C-3Q208C
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LFXP2-40E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4
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