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Herstellerteilenummer | SI3590DV-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI3590DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI3590DV-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N and P-Channel |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2.5A, 1.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 830mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3590DV-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI3590DV-T1-E3-FT |
SI7958DP-T1-GE3
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SI7960DP-T1-E3
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XC3S2000-4FG456I
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XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
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A1020B-1PL68C
Microsemi Corporation
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5SGXMA7N2F45C2LN
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XC7A35T-1CS324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8LFN672I
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EP20K300ERC208-2
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