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Vishay Siliconix SI3900DV-T1-E3

Name: SI3900DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3900DV-T1-E3
Price: 0.21696 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (274 reviews)

MFG-Teilenummer: SI3900DV-T1-E3

verfügbare Anzahl: 60500 Stücke

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SI3900DV-T1-E3.pdf

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SI3900DV-T1-E3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SI3900DV-T1-E3
Zukünftige Teilenummer	FT-SI3900DV-T1-E3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SI3900DV-T1-E3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Leistung max	830mW
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package	6-TSOP
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI3900DV-T1-E3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SI3900DV-T1-E3-FT

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