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Herstellerteilenummer | SI3909DV-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI3909DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI3909DV-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 500mV @ 250µA (Min) |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 1.15W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3909DV-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI3909DV-T1-E3-FT |
SI5938DU-T1-E3
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SI5943DU-T1-E3
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Xilinx Inc.
XC6SLX150-L1FGG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
A3P600-2FG256
Microsemi Corporation
EP3C5U256C6N
Intel
XC6VLX365T-1FFG1759I
Xilinx Inc.