Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI4164DY-T1-GE3
Herstellerteilenummer | SI4164DY-T1-GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SI4164DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI4164DY-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3545pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3W (Ta), 6W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4164DY-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI4164DY-T1-GE3-FT |
SI4850EY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4431BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9433BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
CWDM3011N TR13
Central Semiconductor Corp
SI4100DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4447ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4186DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4447DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4840BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4056DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation