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Infineon Technologies SI4435DYPBF

Name: SI4435DYPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: SI4435DYPBF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (258 reviews)

MFG-Teilenummer: SI4435DYPBF

verfügbare Anzahl: 68560 Stücke

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: HEXFET® MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SI4435DYPBF.pdf

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SI4435DYPBF Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SI4435DYPBF
Zukünftige Teilenummer	FT-SI4435DYPBF
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	HEXFET®
SI4435DYPBF Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2320pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-SO
Paket / fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI4435DYPBF Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SI4435DYPBF-FT

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