Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI4646DY-T1-E3
Herstellerteilenummer | SI4646DY-T1-E3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SI4646DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SkyFET®, TrenchFET® |
SI4646DY-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1790pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3W (Ta), 6.25W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4646DY-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI4646DY-T1-E3-FT |
SI4136DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4158DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4168DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4170DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4172DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4176DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4178DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4178DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4190ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4190DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel