Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI4831BDY-T1-E3
Herstellerteilenummer | SI4831BDY-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI4831BDY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | LITTLE FOOT® |
SI4831BDY-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 625pF @ 15V |
FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4831BDY-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI4831BDY-T1-E3-FT |
SI4368DY-T1-E3
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SI4384DY-T1-E3
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AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
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5SGXEA5K3F40I3LN
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LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel