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Vishay Siliconix SI4850BDY-T1-GE3

Name: SI4850BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4850BDY-T1-GE3
Price: 0.371952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (571 reviews)

MFG-Teilenummer: SI4850BDY-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 51210 Stücke

Referenzpreis: USD 0.371952

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CH 60V SO-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SI4850BDY-T1-GE3.pdf

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SI4850BDY-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SI4850BDY-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SI4850BDY-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET® Gen IV
SI4850BDY-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 30V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-SO
Paket / fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI4850BDY-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SI4850BDY-T1-GE3-FT

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