Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI4860DY-T1-E3
Herstellerteilenummer | SI4860DY-T1-E3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SI4860DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI4860DY-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 11A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4860DY-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI4860DY-T1-E3-FT |
SI4409DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4409DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4410BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4410BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4411DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4411DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4412ADY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4412ADY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4418DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4418DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC7A15T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel