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Herstellerteilenummer | SI4860DY-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI4860DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI4860DY-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 11A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-SO |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4860DY-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI4860DY-T1-GE3-FT |
SI4409DY-T1-GE3
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SI4410BDY-T1-E3
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XCS20XL-4VQ100C
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XC6SLX150-3FG484I
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A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel