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Vishay Siliconix SI4866DY-T1-GE3

MFG-Teilenummer
SI4866DY-T1-GE3
verfügbare Anzahl
91190 Stücke
Referenzpreis
USD 0.90028
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
TrenchFET® MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
SI4866DY-T1-GE3.pdf
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SI4866DY-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SI4866DY-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer FT-SI4866DY-T1-GE3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie TrenchFET®
SI4866DY-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 8-SO
Paket / fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI4866DY-T1-GE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SI4866DY-T1-GE3-FT

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