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Vishay Siliconix SI4900DY-T1-GE3

MFG-Teilenummer
SI4900DY-T1-GE3
verfügbare Anzahl
23590 Stücke
Referenzpreis
USD 0.44352
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
TrenchFET® MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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SI4900DY-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SI4900DY-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer FT-SI4900DY-T1-GE3
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Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie TrenchFET®
SI4900DY-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 665pF @ 15V
Leistung max 3.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SO
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI4900DY-T1-GE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SI4900DY-T1-GE3-FT

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