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Herstellerteilenummer | SI5920DC-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI5920DC-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI5920DC-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 8V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 4V |
Leistung max | 3.12W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SMD, Flat Lead |
Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5920DC-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI5920DC-T1-GE3-FT |
SI7872DP-T1-GE3
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LFE2-20E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
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Microsemi Corporation
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EP3SE50F484C2N
Intel
5SGXMA7H2F35I3LN
Intel
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LCMXO2-4000ZE-3BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1508C7N
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EP3SL150F780I3
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