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Herstellerteilenummer | SI5975DC-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI5975DC-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI5975DC-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 1.1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SMD, Flat Lead |
Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5975DC-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI5975DC-T1-E3-FT |
SI7945DP-T1-E3
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SI7945DP-T1-GE3
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XC6SLX100T-2FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG484C
Xilinx Inc.
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A3P125-VQG100T
Microsemi Corporation
A42MX16-3VQG100I
Microsemi Corporation
EP3C5U256I7
Intel
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation