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Vishay Siliconix SI6562CDQ-T1-GE3
- MFG-Teilenummer
- SI6562CDQ-T1-GE3
- verfügbare Anzahl
- 58460 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.38704
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Vishay Siliconix
- Kurze Beschreibung
- TrenchFET® MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- SI6562CDQ-T1-GE3.pdf
SI6562CDQ-T1-GE3 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | SI6562CDQ-T1-GE3 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-SI6562CDQ-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | TrenchFET® |
| SI6562CDQ-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6.7A, 6.1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850pF @ 10V |
| Leistung max | 1.6W, 1.7W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SI6562CDQ-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | SI6562CDQ-T1-GE3-FT |
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