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Herstellerteilenummer | SI7119DN-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI7119DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI7119DN-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 666pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Paket / fall | PowerPAK® 1212-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7119DN-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI7119DN-T1-E3-FT |
SIHB22N60E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB22N60ET1-GE3
Vishay Siliconix
SIHB22N60ET5-GE3
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SIHB22N60S-GE3
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SIHB23N60E-GE3
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SIHB24N65E-E3
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SIHB24N65ET1-GE3
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SIHB24N65ET5-GE3
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SIHB30N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHB30N60E-GE3
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A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
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