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Vishay Siliconix SI7157DP-T1-GE3

Name: SI7157DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7157DP-T1-GE3
Price: 0.585152 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (24 reviews)

MFG-Teilenummer: SI7157DP-T1-GE3

verfügbare Anzahl: 38050 Stücke

Referenzpreis: USD 0.585152

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SI7157DP-T1-GE3.pdf

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SI7157DP-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SI7157DP-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SI7157DP-T1-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SI7157DP-T1-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	625nC @ 10V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	22000pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Paket / fall	PowerPAK® SO-8
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI7157DP-T1-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SI7157DP-T1-GE3-FT

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