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Herstellerteilenummer | SI7309DN-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI7309DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI7309DN-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 3.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 |
Paket / fall | PowerPAK® 1212-8 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7309DN-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI7309DN-T1-E3-FT |
IRFU420PBF
Vishay Siliconix
IRFU9310PBF
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A54SX32-1TQ144M
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LFXP3E-3T100I
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A3P400-2FGG256I
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LFE5UM-85F-7BG554C
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A3P125-1VQG100
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5SGXEB6R3F40I3L
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Xilinx Inc.