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Vishay Siliconix SI7703EDN-T1-E3

Name: SI7703EDN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7703EDN-T1-E3
Price: 0.55104 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (662 reviews)

MFG-Teilenummer: SI7703EDN-T1-E3

verfügbare Anzahl: 51570 Stücke

Referenzpreis: USD 0.55104

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SI7703EDN-T1-E3.pdf

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SI7703EDN-T1-E3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SI7703EDN-T1-E3
Zukünftige Teilenummer	FT-SI7703EDN-T1-E3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SI7703EDN-T1-E3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	4.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 800µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Funktion	Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)	1.3W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Paket / fall	PowerPAK® 1212-8
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI7703EDN-T1-E3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SI7703EDN-T1-E3-FT

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