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Vishay Siliconix SI8409DB-T1-E1

MFG-Teilenummer
SI8409DB-T1-E1
verfügbare Anzahl
99580 Stücke
Referenzpreis
USD 0.39424
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
TrenchFET® MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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SI8409DB-T1-E1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SI8409DB-T1-E1
Zukünftige Teilenummer FT-SI8409DB-T1-E1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie TrenchFET®
SI8409DB-T1-E1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 4.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.47W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 4-Microfoot
Paket / fall 4-XFBGA, CSPBGA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI8409DB-T1-E1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SI8409DB-T1-E1-FT

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