Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SI8467DB-T2-E1
Herstellerteilenummer | SI8467DB-T2-E1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI8467DB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI8467DB-T2-E1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73 mOhm @ 1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 4-Microfoot |
Paket / fall | 4-XFBGA, CSPBGA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8467DB-T2-E1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI8467DB-T2-E1-FT |
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