Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays / SI9926BDY-T1-E3
Herstellerteilenummer | SI9926BDY-T1-E3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SI9926BDY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SI9926BDY-T1-E3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 1.14W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SO |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI9926BDY-T1-E3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SI9926BDY-T1-E3-FT |
SI4388DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4388DY-T1-GE3
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SI4500BDY-T1-E3
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SI4501ADY-T1-E3
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M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
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Intel
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Xilinx Inc.
LFEC3E-3QN208C
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Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-1N
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