Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / SIA411DJ-T1-GE3
Herstellerteilenummer | SIA411DJ-T1-GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SIA411DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIA411DJ-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Paket / fall | PowerPAK® SC-70-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA411DJ-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIA411DJ-T1-GE3-FT |
SI4896DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI9410BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9410BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI9424BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9424BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI9434BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI9434BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SQ4080EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4401EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
SQ4410EY-T1_GE3
Vishay Siliconix
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.