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Vishay Siliconix SIA430DJT-T4-GE3

Name: SIA430DJT-T4-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA430DJT-T4-GE3
Price: 0.158656 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (10 reviews)

MFG-Teilenummer: SIA430DJT-T4-GE3

verfügbare Anzahl: 91200 Stücke

Referenzpreis: USD 0.158656

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Hersteller: Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung: TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 12A SC-70-6

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: SIA430DJT-T4-GE3.pdf

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SIA430DJT-T4-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	SIA430DJT-T4-GE3
Zukünftige Teilenummer	FT-SIA430DJT-T4-GE3
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	TrenchFET®
SIA430DJT-T4-GE3 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12A (Ta), 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / fall	PowerPAK® SC-70-6
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIA430DJT-T4-GE3 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	SIA430DJT-T4-GE3-FT

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