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Herstellerteilenummer | SIA469DJ-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIA469DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® Gen III |
SIA469DJ-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.5 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 15.6W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Paket / fall | PowerPAK® SC-70-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA469DJ-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIA469DJ-T1-GE3-FT |
SI4888DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4888DY-T1-GE3
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SI4890BDY-T1-E3
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LCMXO1200E-5T144C
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A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
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EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel