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Herstellerteilenummer | SIA533EDJ-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIA533EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIA533EDJ-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N and P-Channel |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 6V |
Leistung max | 7.8W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA533EDJ-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIA533EDJ-T1-GE3-FT |
SP8J1TB
Rohm Semiconductor
SP8J2FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J2TB
Rohm Semiconductor
SP8J3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J4TB
Rohm Semiconductor
SP8J5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J5TB
Rohm Semiconductor
SP8J65TB1
Rohm Semiconductor
SP8J66TB1
Rohm Semiconductor
SP8K1FU6TB
Rohm Semiconductor
A54SX16P-1TQ144
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8L
Intel
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
Intel