Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays / SIA537EDJ-T1-GE3
Herstellerteilenummer | SIA537EDJ-T1-GE3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-SIA537EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIA537EDJ-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N and P-Channel |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V, 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 455pF @ 6V |
Leistung max | 7.8W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA537EDJ-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIA537EDJ-T1-GE3-FT |
SP8K2FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K31TB1
Rohm Semiconductor
SP8K3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K4FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K4TB
Rohm Semiconductor
SP8K5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K5TB
Rohm Semiconductor
SP8M10FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M10TB
Rohm Semiconductor
SP8M2FU6TB
Rohm Semiconductor
APA075-TQ144I
Microsemi Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQG100C
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
AGLE3000V2-FG484I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3
Intel
EP3SL70F484C2
Intel
A40MX02-PQG100
Microsemi Corporation
10AX115N4F40I4SGES
Intel
EPF10K70RC240-2N
Intel