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Vishay Siliconix SIA777EDJ-T1-GE3

MFG-Teilenummer
SIA777EDJ-T1-GE3
verfügbare Anzahl
61220 Stücke
Referenzpreis
USD 0.184144
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Siliconix
Kurze Beschreibung
TrenchFET® MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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SIA777EDJ-T1-GE3 Spezifikationen

Herstellerteilenummer SIA777EDJ-T1-GE3
Zukünftige Teilenummer FT-SIA777EDJ-T1-GE3
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie TrenchFET®
SIA777EDJ-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V, 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 1.5A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung max 5W, 7.8W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall PowerPAK® SC-70-6 Dual
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Dual
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIA777EDJ-T1-GE3 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer SIA777EDJ-T1-GE3-FT

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