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Herstellerteilenummer | SIA777EDJ-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIA777EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIA777EDJ-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N and P-Channel |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V, 12V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.5A, 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 5W, 7.8W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA777EDJ-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIA777EDJ-T1-GE3-FT |
SP8K1TB
Rohm Semiconductor
SP8K22FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K24FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K2FU6TB
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SP8K31TB1
Rohm Semiconductor
SP8K3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K4FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K4TB
Rohm Semiconductor
SP8K5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K5TB
Rohm Semiconductor
A1425A-VQ100C
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C4L
Intel
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F29I8LN
Intel
EP1K30QC208-3
Intel
EP4SGX290FF35C3N
Intel