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Herstellerteilenummer | SIA910EDJ-T1-GE3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-SIA910EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TrenchFET® |
SIA910EDJ-T1-GE3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 455pF @ 6V |
Leistung max | 7.8W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA910EDJ-T1-GE3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | SIA910EDJ-T1-GE3-FT |
SP8J3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J4TB
Rohm Semiconductor
SP8J5FU6TB
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SP8J5TB
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LCMXO2280E-3T100C
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XCV405E-6FG676I
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XC4005-5PQ208C
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10M16DAF484I7G
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10AX066H2F34E2SG
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